PI-EUV刻蚀

EUV刻蚀

半导体研究与其他研究一样，依靠小的结构进行科学研究。为了创建这些小的特征，传统上使用光学光刻法，因为它可以确保足够的质量和高产量。但是，光刻技术的分辨率受到限制，并且需要新技术来生产小于100 nm的芯片结构。

极紫外（EUV）光刻能够使用13.5 nm的波长产生这些较小的结构。它使用相同的基本设计工具；同时保留了传统光学光刻工艺的外观和感觉。因此，它很快成为选择的方法。